F2002 FUENTE DE PODER COMPONENTES TECHNICAL DATA SHEET
Parte Nnmber: F2002
Encapsulados:
Fabricantes: POLYFET[Polyfet Devices]
Pasadores:
Descripción: PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE POWER VDMOS TRANSISTOR
Temperatura: Min °C | Max °C