IP2010PBF FUENTE DE PODER COMPONENTES TECHNICAL DATA SHEET
Parte Nnmber: IP2010PBF
Encapsulados:
Fabricantes: International
Pasadores:
Descripción: High Frequency GaN-Based Integrated Power Stage
Temperatura: Min °C | Max °C
Parte Nnmber: IP2010PBF
Encapsulados:
Fabricantes: International
Pasadores:
Descripción: High Frequency GaN-Based Integrated Power Stage
Temperatura: Min °C | Max °C