L8821P FUENTE DE PODER COMPONENTES TECHNICAL DATA SHEET
Parte Nnmber: L8821P
Encapsulados:
Fabricantes: POLYFET[Polyfet Devices]
Pasadores:
Descripción: SILICON GATE ENHANCEMENT MODE POWER LDMOS TRANSISTOR
Temperatura: Min °C | Max °C
Parte Nnmber: L8821P
Encapsulados:
Fabricantes: POLYFET[Polyfet Devices]
Pasadores:
Descripción: SILICON GATE ENHANCEMENT MODE POWER LDMOS TRANSISTOR
Temperatura: Min °C | Max °C